薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)招標(biāo)公告
項(xiàng)目所在地區(qū)：北京市
1.招標(biāo)條件
本招標(biāo)項(xiàng)目薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)（項(xiàng)目名稱）（項(xiàng)目編號(hào)：0730-2511010525/01）招標(biāo)人為中國(guó)航發(fā)北京航空材料研究院，招標(biāo)項(xiàng)目資金已落實(shí)。 本項(xiàng)目已具備招標(biāo)條件，現(xiàn)對(duì)薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)（設(shè)備名稱） 采購(gòu)進(jìn)行公開(kāi)招標(biāo)。
2.項(xiàng)目概況與招標(biāo)范圍
2.1 項(xiàng)目名稱：薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)。
2.2 設(shè)備名稱：薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)。
2.3 數(shù)量：2臺(tái)（薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)1臺(tái)、小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)1臺(tái)）。
2.4 招標(biāo)文件簡(jiǎn)要技術(shù)規(guī)格：
薄膜熱電偶功能層沉積系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)：
（1）薄膜沉積的均勻性：沉積薄膜厚度為2-3μm，偏差±0.1μm；
（2）最高加熱溫度≥500℃，長(zhǎng)期工作溫度≥450℃，溫控精度±5℃；
（3）具有連續(xù)加工能力，兼容不同尺寸工件加工，最大加工尺寸工件≥1000*400*350mm；
（4）具有矩形靶（靶面積≥600*150mm，數(shù)量1個(gè)）及圓靶（Ф76.2mm，數(shù)量4個(gè)），至少1臺(tái)射頻電源（≥10kW，廠家：AE、霍廷格等知名品牌或以上），1臺(tái)直流電源（≥10 kW），2臺(tái)直流電源（≥1 kW），各靶均可進(jìn)行射頻、直流濺射；
（5）真空腔室（低真空部分，極限真空≤8*10-1Pa，抽速：30min真空度≤1Pa），過(guò)渡、鍍膜腔室（高真空部分，極限真空度≤6.6×10-5Pa，抽速：短時(shí)間暴露大氣環(huán)境，120min真空度≤7×10-4Pa，保壓：停泵8h后≤6Pa）。
小尺寸磁控濺射試驗(yàn)系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)：
（1）真空腔室尺寸≥Ф650*600mm；
（2）極限真空度≤6.6×10-5Pa，抽速：短時(shí)間暴露大氣環(huán)境，120min真空度≤7×10-4Pa，保壓：停泵8h后≤6Pa ；
（3）濺射靶頭數(shù)量4個(gè)，靶頭可適配射頻、直流兩種電源；
（4）最高加熱溫度≥650℃，長(zhǎng)期工作溫度≥600℃，溫控精度±5℃；
（5）配備射頻電源4臺(tái)，直流電源1臺(tái)，其中進(jìn)口電源數(shù)量2臺(tái)（進(jìn)口電源品牌為AE、霍廷格等知名品牌同等及以上產(chǎn)品）、
（6）靶在上，待沉積樣品在下，從上往下沉積。
更多要求詳見(jiàn)招標(biāo)文件。
2.5 交貨期：合同簽訂生效后3個(gè)月。
2.6 交貨地點(diǎn)：用戶現(xiàn)場(chǎng)（北京）。
3.投標(biāo)人資格要求
3.1 資質(zhì)要求：